例如,目前國內(nèi)撰寫的申請文件在對技術方案進行論述時普遍存在清楚性及完整性不夠的缺陷。但在申請文件的撰寫中,對技術方案清楚、完整的論述是最基本的要求,也是必須嚴加重視的要求之一。
專利法第二十六條第三款中明確規(guī)定,“說明書應當對發(fā)明或?qū)嵱眯滦妥鞒銮宄⑼暾恼f明”。
根據(jù)專利法實施細則第六十四條的規(guī)定,說明書不滿足專利法第二十六條第三款中有關說明書的清楚、完整的規(guī)定可以作為申請專利無效的理由,表明如果申請文件中存在此類缺陷,即使當時授權了,該缺陷也會是影響該申請文件未來權利穩(wěn)定性的因素之一。
另外,專利法第三十三條規(guī)定,“對發(fā)明和實用新型專利申請文件的修改不得超出原說明書和權利要求書記載的范圍”,因此,如果提交的申請文件在清楚性及完整性上出現(xiàn)問題,則通常是無法彌補的,撰寫人必須確保提交時的申請文件已對技術方案進行了清楚、完整的論述。
那么,申請文件撰寫到什么程度才算是清楚、完整呢?專利法第二十六條給出了認定的標準“以所屬技術領域的技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)為準”。審查指南第二部分第二章也針對何為清楚、何為完整、何為能夠?qū)崿F(xiàn)進行了具體的規(guī)定。
以半導體制造領域的專利申請文件為例,通常滿足撰寫的清楚、完整性要求的申請文件會對技術方案中涉及到的各步工藝都給出清楚、詳細的描述,包括:從功能、原理上對各步工藝的相關基本知識進行解釋;對涉及到的各個工藝步驟,無論是否與發(fā)明點相關,均列出詳細的參數(shù)列表;以及,對于各個工藝步驟中存在的可能的替代方案進行適當?shù)年U述。
這樣寫的好處是顯而易見的:一則,技術方案的論述非常清楚、完整,所屬技術領域的技術人員依據(jù)說明書中的內(nèi)容,能夠在不付出創(chuàng)造性勞動的基礎上輕易實現(xiàn);二則,便于理解,減少歧義。其對技術方案的論述可以詳細到令一個對微電子專業(yè)不太了解的人(如法官)也可以從申請文件中找到較多的、利于其理解該技術方案的內(nèi)容,減少了對該技術方案理解的難度,這對于獲得權利及維護權利都很有好處。
然而,目前國內(nèi)撰寫的申請文件中,即使是由專利代理人撰寫的申請文件,由于多種原因的存在,還是經(jīng)常會出現(xiàn)撰寫不夠清楚或不夠完整的問題,從申請人的角度考慮,主要有以下幾種情況存在:
(1)由于申請人未理解專利申請文件清楚、完整的重要性,怠于為專利代理人提供足夠的技術資料;
(2)申請人出于保密的考慮,將技術方案中的部分內(nèi)容隱瞞起來,僅提供一個大致的想法,導致在申請文件中公開的技術方案不能由所屬技術領域的技術人員實現(xiàn),不滿足專利申請中有關清楚、完整的要求;
(3)由于申請人對自己使用的技術相當?shù)厥煜?,將技術方案中涉及到的大部分信息都當作現(xiàn)有技術,認為不需要進行詳細介紹。
對于第一種情況,專利代理人應該對申請人闡明清楚、完整對一篇專利申請文件的重要性,說服發(fā)明人提供足夠的技術資料。
對于第二種情況,可以具體分析,如果隱瞞申請人希望保密的內(nèi)容僅會使效果不是最佳,但仍可以令申請文件具有專利的三性――實用性、新穎性及創(chuàng)造性,且所屬技術領域的技術人員也能依據(jù)文件中的描述而實現(xiàn),那么專利代理人在撰寫申請文件時可以對技術方案的該部分作保密處理。反之,如果不能滿足上述要求,則專利代理人需要說服申請人公開該部分內(nèi)容或放棄該專利申請。
例如,一項申請的發(fā)明點本身在于工藝中采用了一種新的氣體,提高了形成的材料的性能,但申請人卻將該新的氣體作為保密內(nèi)容不愿意透露該氣體的具體名稱。此時,專利代理人可以與申請人進一步交流,詢問是該新的氣體的哪種特性在提高材料性能方面起到了主要的作用,是否能由某一類氣體實現(xiàn)。
A、如果能(雖然可能存在性能提高有限或成本較高等缺點),則可以在申請文件中僅提出該類氣體,并舉出非最佳的幾種氣體(最佳氣體可以進行保密),這樣,既可以滿足專利的三性要求及所屬技術領域的技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)的要求,又可以按申請人的要求實現(xiàn)對關鍵內(nèi)容的保密。但需要告知申請人,如果此后競爭對手申請了對該最佳氣體的專利保護,則可能會令申請人自己陷入被動之中:不但不能限制對手使用該最佳氣體,還可能因?qū)Ψ剿鶕碛械膶@麢喽艿较拗啤?BR>
B、如果該材料性能的改進只能由一種特定的氣體實現(xiàn),則專利代理人應該進一步與申請人溝通,闡明為滿足專利的三性要求及所屬技術領域的技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)的要求,必須在申請文件中指出該特定氣體。若申請人仍堅持不公開該特定氣體,則最好建議申請人放棄對該技術方案的專利申請,而將該技術方案按商業(yè)秘密等其它方式進行保護。因為,此時即使申請了對該技術方案的專利保護,但因其申請文件中公開的內(nèi)容不足以解決技術問題(提高材料性能),或所屬技術領域的技術人員不能夠依據(jù)申請文件中的內(nèi)容實現(xiàn),該申請文件仍不能滿足專利法對申請文件清楚、完整的要求。一方面該申請文件難以獲得授權,另一方面即使獲得了獲權,其未來的權利也不夠穩(wěn)定,易被競爭對手無效掉,難以真正實現(xiàn)對技術方案的保護,反而可能在公開申請文件后給競爭對手以技術啟示。
對于第三種情況,專利代理人應該與申請人進一步溝通,說明應站在所屬技術領域的普通技術人員的角度對技術方案進行闡述,一些申請人認為簡單的情況,其實在本領域中仍存在多種其它可能的實現(xiàn)方法,只是申請人未采用或不適用于該技術方案而已,如果不具體說明技術方案中相關的內(nèi)容,可能會導致所屬技術領域的技術人員無法根據(jù)申請文件的內(nèi)容實現(xiàn)該技術方案,從而導致申請文件具有不完整或不清楚的缺陷。
此外,還要注意到撰寫時確保申請文件具有清楚、完整性并不意味著要對技術方案各個方面的各個細節(jié)都做出詳細論述,還是應該有個度,否則可能會出現(xiàn)過猶不及的問題。
筆者認為,對技術方案的發(fā)明點應進行盡可能詳細、全面的論述;對可能影響該技術方案能否實現(xiàn)的相關內(nèi)容也要做出具體的描述;但是,對于與技術方案能否實現(xiàn)關系不大、且可以采用多種方法中的任一種實現(xiàn)的內(nèi)容,則可以略寫。如可以將其作為現(xiàn)有技術,僅提到在技術方案中也可以適用什么方法或什么結構即可。
例如,一個技術方案的發(fā)明點在于對沉積工藝的工藝條件進行改進,以得到更為均勻的薄膜。此時,圍繞該沉積工藝要進行盡可能詳細、全面的描述:如,說明本技術方案中所用的沉積設備的結構、原理等,沉積薄膜時所用的各種反應氣體、載氣體等;列出沉積時所選用的各工藝條件(如溫度、氣壓、功率等)及原因,沉積過程中各工藝條件的改變對薄膜沉積質(zhì)量的影響等等。
其中,由于該技術方案的發(fā)明點在于沉積工藝條件的改進,除了對改進了的工藝條件要進行格外詳細的論述外,還可以進一步分析為何要對該工藝條件進行改進,該改進的原理、趨勢,以及該改進可以帶來的各種好處等等,最好還要列出改進前、后的效果對比數(shù)據(jù)。
不過,對于該技術方案中在沉積時所用的襯底的相關知識的描述是否也用具體到如此程度呢?沉積中所用的襯底也是在描寫該技術方案時必不可少地要引入的內(nèi)容,對它的描述是否也要象描述沉積工藝一樣,從結構、原理等基本的相關知識開始介紹?如,如何利用拉晶等方式形成襯底,其的結構有什么特點(如其晶向等),它在沉積前可能已形成的內(nèi)部結構具體是如何形成的等等。
筆者認為如果上述問題對本發(fā)明的技術方案能否實現(xiàn)關系不大,對其的介紹是不需要具體到如此程度的??梢詫⑵湟暈楣WR,只提到本技術方案夠用的信息量(如本技術方案中可以適用的襯底,及襯底上可以具有的結構等),其余的不用寫太多。如果對于這一類的知識點也進行如發(fā)明點般具體詳細的介紹,一方面會降低撰寫的效率;另一方面對審查員或法官理解技術方案本身的幫助并不大,反而可能會導致發(fā)明點不突出,需要在幾十頁的文件中去尋找技術方案中真正有關創(chuàng)新的地方。
總之,在撰寫專利申請文件時,務必要重視所描述的技術方案的清楚性及完整性,并注意對其詳細程度的把握,只有滿足了這一點的專利申請文件才可能算是合格的申請文件,也只有在實現(xiàn)了這一點的前提下才有可能撰寫出真正高質(zhì)量的申請文件。