中芯國際在晶圓市場迅猛發(fā)展的勢頭使臺積電深受壓力，在去年底挑起訴訟但并未延緩中芯國際上市步伐后，臺積電近日再度發(fā)難，以與去年底相同的“訴狀”，在美控告中芯國際，試圖“阻止”中芯國際躋身全球晶圓代工企業(yè)三甲。

全球最大的晶圓代工企業(yè)臺積電近日向美國國際貿(mào)易委員會（ITC）提起申訴，指控中芯國際（上海）侵犯其專利并通過不正當手段竊取其商業(yè)秘密。臺積電在向ITC遞交的訴狀中，稱中芯國際侵犯了其3項專利權(quán)，要求美國方面禁止進口和出售中芯國際的產(chǎn)品，并要求中芯國際支付3倍的賠償金及相關(guān)成本。

臺積電的發(fā)言人表示，臺積電及其北美子公司和WaferTech公司已經(jīng)向ITC提出申請，要求ITC對中芯國際（上海）、中芯國際（北京）以及中芯國際美國子公司展開調(diào)查。臺積電還提出，希望ITC簽發(fā)永久性禁令，禁止中芯國際所有未經(jīng)授權(quán)的半導體設備和產(chǎn)品進入美國，并禁止中芯國際在美國市場上出售產(chǎn)品。

據(jù)上海WTO事務咨詢中心的消息，臺積電還要求ITC根據(jù)修訂后的1930年關(guān)稅法第337條款，對某種半導體器件及包含其中的產(chǎn)品展開一項“337條款”的知識產(chǎn)權(quán)調(diào)查。涉案企業(yè)除中芯國際外，還有半導體制造國際公司（開曼群島）和總部位于美國加利福尼亞州的Fremont公司。

此外，臺積電上周五向美國證券交易委員會提交了名為“8——K”的報告，稱它已要求ITC立即就此事展開調(diào)查。臺積電在相關(guān)文件中表示，已就中芯國際涉嫌侵犯的3項專利權(quán)向加州北部聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟，尋求禁止令救濟，并要求中芯國際支付3倍的賠償金及相關(guān)成本。

事實上，臺積電和中芯國際的糾葛由來已久。去年12月，臺積電就在美國起訴中芯國際，稱后者侵犯了其多項專利并竊取了部分商業(yè)秘密。

分析人士表示，兩者的恩怨是由于2000年4月中芯國際在上海成立以來，臺積電陸續(xù)有職員跳槽到中芯國際而生。這令臺積電極為惱火，稱中芯國際挖自己“墻角”，并通過不正當手段獲取了自己的商業(yè)秘密。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預計，中芯國際的銷售收入在2004年將增長近兩倍，突破10億美元大關(guān)。更具突破性的是，中芯國際將在今年躋身全球四大晶圓代工廠之列，位居中國臺灣的臺積電和聯(lián)電、新加坡的特許半導體之后。

業(yè)內(nèi)預期，由于中芯國際等后來者的加入，盡管龍頭老大臺積電今年的銷售額將增長37%，但其市場份額將會下降5%。隨著中芯國際產(chǎn)能的擴大，它可能在2005年超過特許半導體而晉級三甲。

今年3月，中芯國際分別在美國紐約證券交易所和香港聯(lián)合交易所上市，募資約15億美元。公司計劃籌措資金在2005年前將硅晶圓的月產(chǎn)量提高3倍至17萬片，并且在北京投資建立中國大陸第一家12英寸晶圓廠。